टंगस्टन स्पटरिंग टारगेट
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टंगस्टन स्पटरिंग टारगेट

1। ब्रांड: xzy
2। कैटलॉग: टंगस्टन उत्पाद
3। सामग्री: टंगस्टन
4। पवित्रता: 99.95% से अधिक या बराबर
5। घनत्व: 19.3 ग्राम\/सेमी।
6। आकार: विमान लक्ष्य, घूर्णन लक्ष्य, स्पटरिंग लक्ष्य, वर्ग लक्ष्य, ट्यूब लक्ष्य, अनियमित आकार के साथ अनुकूलित लक्ष्य।
7। विनिर्देश: अनुकूलित, 300 किलोग्राम\/पीसी से कम या बराबर वजन को लक्षित करें।
8। सतह: कोल्ड रोल्ड सतह, रासायनिक साफ सतह, पॉलिश सतह
9। आवेदन: मैग्नेट्रॉन स्पटरिंग कोटिंग
10। मानक: एएसटीएम बी 760, जीबी\/टी 3875-83
11। मूल स्थान: लुओयांग, चीन।
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उत्पाद का परिचय

 

 

परिचय

 

 

टंगस्टन स्पटरिंग लक्ष्य उच्च-शुद्धता सामग्री है जिसका उपयोग स्पटरिंग प्रक्रिया में किया जाता है, जो एक भौतिक वाष्प जमाव (पीवीडी) विधि है जो सतहों पर पतली फिल्मों को जमा करने के लिए नियोजित है। टंगस्टन एक धातु है जो अपने उच्च पिघलने बिंदु (लगभग 3422 डिग्री), कठोरता, और उत्कृष्ट विद्युत चालकता के लिए जानी जाती है, जिससे यह विभिन्न उद्योगों, जैसे इलेक्ट्रॉनिक्स, ऑप्टिक्स और अर्धचालक विनिर्माण में लक्ष्यों के लिए एक आदर्श सामग्री बन जाता है।

 

विशेषताएँ

 

 

उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिरोध
टंगस्टन में 3422 डिग्री तक पिघलने का बिंदु है, जो इसे उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिरोध देता है। इसके अतिरिक्त, स्पटरिंग प्रक्रिया के दौरान, टंगस्टन लक्ष्य उच्च-ऊर्जा आयनों की बमबारी का सामना कर सकता है और आसानी से विकृत या अपमानित नहीं होता है। यह टंगस्टन लक्ष्य को उच्च तापमान और उच्च-ऊर्जा वातावरण में संचालित करने की अनुमति देता है।

 

संक्षारण प्रतिरोध
टंगस्टन सामग्री में अच्छा ऑक्सीकरण और संक्षारण प्रतिरोध होता है। उच्च तापमान या रासायनिक वातावरण में, टंगस्टन स्पटरिंग लक्ष्य प्रभावी रूप से ऑक्सीकरण, एसिड और क्षार जंग का विरोध कर सकता है, यह सुनिश्चित करता है कि लक्ष्य कई स्पटरिंग प्रक्रियाओं के दौरान अच्छा प्रदर्शन बनाए रखता है।

 

उपयोग की विस्तृत श्रृंखला
हमारे उत्पाद व्यापक रूप से अर्धचालक, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक, चुंबकीय सामग्री और अन्य क्षेत्रों में उपयोग किए जाते हैं। सेमीकंडक्टर उद्योग में, टंगस्टन पतली फिल्मों का उपयोग एकीकृत सर्किट की धातुकरण प्रक्रिया में किया जाता है। ऑप्टिकल क्षेत्र में, टंगस्टन पतली फिल्मों का उपयोग रिफ्लेक्टर या कोटिंग सामग्री के निर्माण के लिए किया जाता है।

 

उत्पाद रासायनिक रचना

 

 

टंगस्टन लक्ष्य रासायनिक रचना

W

सामग्री

(%)

अशुद्धता सामग्री (पीपीएम)

ती

ना

C

सीएएस

मिलीग्राम

साई

एएल

जैसा

फ़े

नी

पंजाब

P

घन

/

/

99.95% से अधिक या बराबर

10 पीपीएम से कम या बराबर

5 से कम या बराबर

पीपीएम

20 से कम या बराबर

पीपीएम

10 से कम या बराबर

पीपीएम

7ppm से कम या बराबर

10 से कम या बराबर

पीपीएम

5 से कम या बराबर

पीपीएम

10 से कम या बराबर

पीपीएम

10 से कम या बराबर

पीपीएम

6 से कम या बराबर

पीपीएम

1 से कम या बराबर

पीपीएम

8 से कम या बराबर

पीपीएम

5 से कम या बराबर

पीपीएम

/

/

 

उत्पाद प्रदर्शन पैरामीटर

 

 

टंगस्टन स्पटरिंग लक्ष्य प्रदर्शन पैरामीटर

नमूना आयाम

12 मिमी × 80 मिमी × 100 मिमी

पवित्रता

99.95% (3N5) ​​से अधिक या बराबर

क्रिस्टल की संरचना

शरीर-केंद्रित घन (बीसीसी)

अनाज आकार

43μm

घनत्व

19.25 ग्राम\/सेमी 3 (हिप)

गलनांक

3410 डिग्री (+ 20 डिग्री)

क्वथनांक

5900 डिग्री

ऊष्मीय चालकता

173 W/(m·K)

इलेक्ट्रिकल कंडक्टीविटी

18.3×10-6 S/m

थर्मल विस्तार का गुणांक

4.5×10-6/K-1

कठोरता

HV5: 280-310

सतह खत्म

Ra से कम या 0 के बराबर। 4μm

 

 

 

उत्पाद उत्पादन प्रक्रिया

 

 

Tungsten Sputtering Target Production Process Flow

 

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